Исследователи Томского государственного университета получают все больше и больше возможностей для совместной работы и обмена опытом с зарубежными коллегами. При этом достижения ученых ТГУ получают признание в мировом научном сообществе. В июле научные сотрудники лаборатории функциональной электроники (ЛФЭ) Антон Тяжев и Анастасия Лозинская приняли участие в Международном воркшопе в Гамбурге (Германия), посвященном радиационным детекторам. Антон выступил с обзором современного состояния технологии и научных исследований в данной области и рассказал о результатах исследований и испытаний матричных GaAs-сенсоров в ЛФЭ ТГУ.
На данный момент ученые лаборатории функциональной электроники ТГУ — единственные в мире, кто делает GaAs-сенсоры для регистрации ионизирующего излучения. Еще 20 лет назад было два подхода к работе с сенсорами: стандартный, который использовался за рубежом, и наш вариант — арсенид галлия, компенсированный хромом. Материал, созданный учеными ТГУ, не обладает недостатками зарубежного аналога, поэтому интерес к нему возрастает.
Синхротронное излучение высокой интенсивности (СИ) в последнее время стало важнейшим универсальным инструментом исследования свойств материи, звёзд, строения Земли, ископаемых артефактов, биомедицинских исследований молекул, вирусов, а также при создании веществ с новыми свойствами. При этом перспективными полупроводниковыми материалами для этого диапазона рентгеновских лучей являются арсенид галлия (GaAs) и теллурид цинка-кадмия (Cd(Zn)Te). Однако первый, арсенид галлия, по потребительским и технологическим свойствам и соотношению цена/качество значительно превосходит второй, Cd(Zn)Te.
Добавим, что сегодня ТГУ поставляет детекторы с числом элементов более 400 тысяч пикселей на 84,6×28,2 кв.мм, используемые для регистрации синхротронного излучения. К 2016 году планируется увеличить количество пикселей до миллиона.
Технологии GaAs
Для справки. Разработку детекторов на основе арсенида галлия ведет лаборатория функциональной электроники (ЛФЭ) ТГУ под руководством профессора Олега Толбанова. Исследователи получили несколько грантов, в том числе по международной программе INTAS и крупному международному проекту ISTC. Технология отработана до промышленного уровня, созданы десятки вариантов детекторов для разных областей применения. Технология создания материала и производства детектора оформлена как ноу-хау, которое принадлежит ТГУ.
Обсуждение материала
Оставить комментарий